【培训大纲: 】
第一阶段
第1部分 概述
1.1 模拟集成电路设计
1.2 字符、符号和术语
1.3 模拟信号处理
1.4 vlsi混合信号电路设计模拟举例
实验
第2部分 cmos技术
2.1 基本mos半导体制造工艺
2.2 pn结
2.3 mos晶体管
2.4 无源元件
2.5 关于cmos技术的其他考虑
2.6 集成电路版图
实验
第3部分 cmos器件模型
3.1 简单的mos大信号模型(spice level1)
3.2 其他mos管大信号模型的参数
3.3 mos管的小信号模型
3.4 计算机仿真模型
3.5 亚阈值电压区mos模型
3.6 mos电路的spice模拟
实验
第4部分 模拟cmos子电路
4.1 mos开关
4.2 mos二极管/有源电阻
4.3 电流漏和电流源
4.4 电流镜
4.5 基准电流和电压
4.6 带隙基准
实验
第5部分 cmos放大器
5.1 反相器
5.2 差分放大器
5.3 共源共栅放大器
5.4 电流放大器
5.5 输出放大器
5.6 高增益放大器结构
实验
第二阶段
5. 开关电容网络分析
1）分析方法
2）滤波器设计
3）器件特性（分析如何提高精度、降低误差）
4）DC－DC转换
5）怎样产生高压、倍压电路
6）软件分析
6. 比较器电路设计
1）比较器参数的要求（功耗、速度、电压等）
2）怎样设计比较器以及与运放的差别
7. 负反馈放大器
8. 振荡器 ...
第三阶段
由于CMOS工艺日益完善，并具有高集成度、低成本、低功耗与数模兼容等特点，已成为当前集成电路的主要工艺；
本阶段课程分成3大部分：
一、 基础部分：
主要是CMOS器件，单元电路，CMOS运放的原理与设计技术，并介绍低电压、低功耗、高速运放的设计方法。通过该部分学习，使学员掌握CMOS模拟电路的基本设计技能。
二、 自学部分：
这部分根据教材提供的内容，学员通过自学、课堂讨论，提高学员的自学能力和电路的分析设计能力。
三、 高性能CMOS模拟电路的设计技术：
这部分主要介绍高性能A/D，∑△A/D，PLL，SC等电路原理及设计技术，并提供当前主要研究成果以及发展方向。
本课程采用当前最权威的CMOS模拟集成电路设计教材，并结合实际情况，介绍与交流CNOS模拟集成电路的实际设计经验与最新的研究成果。
第四阶段
第6部分 cmos运算放大器
6.1 cmos运算放大器设计
6.2 运算放大器的补偿
6.3 两级运算放大器设计
6.4 两级运算放大器的电源抑制比
6.5 共源共栅运算放大器
6.6 运算放大器的仿真和测量
6.7 运算放大器的宏模型
实验
第7部分 高性能cmos运算放大器
7.1 缓冲运算放大器
7.2 高速/高频cmos运算放大器
7.3 差分输出运算放大器
7.4 微功耗运算放大器
7.5 低噪声运算放大器
7.6 低电压运算放大器
7
实验
第8部分 比较器
8.1 比较器的特性
8.2 两级开环比较器
8.3 其他开环比较器
8.4 开环比较器性能的改进
8.5 离散时间比较器
8.6 高速比较器
实验
第9部分 开关电容电路
9.1 开关电容电路
9.2 开关电容放大器
9.3 开关电容积分器
9.4 两相开关电容电路的z域模型
9.5 一阶开关电容电路
9.6 二阶开关电容电路
9.7 开关电容滤波器
实验
第10部分 数模和模数转换器
10.1 数模转换器简介及特性
10.2 并行数模转换器
10.3 并行数模转换器分辨率的扩展
10.4 串行数字模拟转换器
10.5 模数转换器简介和特性
10.6 串行模数转换器
10.7 中速模数转换器
10.8 高速模数转换器
10.9 过采样转换器
实验
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